会社概要

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会社概要

社名 株式会社エネテック総研
設立 2010年6月28日
資本金 10,5000,000円
役員 代表取締役 塩見 哲也
取締役 小倉 誠
取締役 柳澤 博文
監査役 佐藤 浩輔
技術顧問 香山 晃(京都大学 名誉教授 ・ 室蘭工業大学 教育研究等支援機構教授)
所在地

守山事務所

滋賀県守山市森川原町163
TEL:077-585-5502 FAX:077-585-5302

室蘭事業所

北海道室蘭市水元町27-1 室蘭工業大学 総合研究棟 Y-203
TEL:0143-46-5683 FAX:0143-46-5681
主要取引先

大学・研究所

  • 京都大学
  • 北海道大学
  • フランス原子力庁
  • (独)日本原子力研究開発機構
  • (独)宇宙航空研究開発機構

民間企業

  • 宇部興産株式会社
  • グンゼ株式会社
  • イビデン株式会社
  • 日本クラウトクレーマー株式会社

沿革

2003年07月11日 資本金1,000万円で設立
2005年01月12日 (独)科学技術振興機構より「SiC繊維強化型SiC複合材料の製造方法」に関する国際特許権の優先実施権を取得
2007年04月19日 Cef-NITETM製造用横型高温炉を弊社生産拠点(山口県宇部市 株式会社超高温研究所内)に搬入・据付
2010年6月 新設分割により、旧エネテック総研(現ENS)より事業承継 グンゼグループの子会社化

特許・登録類

2006年11月24日 商号「エネテック総研」(登録番号5005732)
商標「Cera-NITE」(先端SiC/SiC複合材料・登録番号5005731)
2007年04月13日 商標「Cef-NITE」(SiC繊維・登録番号5041062)
2007年06月01日 商号「IEST」(登録番号5051939)
2008年04月25日 商標「ポーラス コーティング」「POROUS COATING」
(SiC繊維・登録番号5131789)
2008年12月19日 商標「Fi-NITE」(SiCナノパウダー・登録番号5190558)